芯片电阻      

     芯片电阻（薄膜电阻器）采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法制作完成。薄膜电阻可以做到0.1%千分之一、0.01%万分之一精度等。薄膜电阻可以做到非常低的温度系数，这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表，医疗器械，电源，电力设备，电子数码产品等。
    薄膜电阻具有最佳温度敏感沉积层厚度，但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。因此，采用各种沉积层厚度可以实现不同的电阻值范围。薄膜电阻的稳定性受温度上升的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整个电阻范围内是可变的。这种化学/机械老化还包括电阻合金的高温氧化。此外，改变最佳薄膜厚度还会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。
    TCR是一个不容忽视的微小参数，它的单位是ppm/℃（每℃温度变化所引起的阻值改变了百万分之几）。1%的普通电阻的TCR系数在几千ppm/°C范围内，整体阻值的变化与电阻的材料、实际功率以及物理尺寸有关系。